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650V Super Junction N-Channel MOSFET
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 新產品宣告

產品介紹 1.采用揚杰科技特殊多層外延工藝制程設計的650V系列超結產品，可以滿足低導通損耗、低開 關損耗、EMI兼容性以及不同電路拓撲結構應用要求，產品具有良好的導通內阻（Rdson)和柵 極電荷（Qg)性能，降低導通損耗和開關損耗，更低的開關噪聲、更低的Trr，綜合提升系統穩 定性及性能。
2.開關速度與EMI平衡、更低的Trr特點，適用于充電器，電源適配器，TV電源、工業電源等領 域，亦可滿足一些半橋或各種橋式電路拓撲結構應用要求。
產品特點 1.采用揚杰科技特殊多層外延工藝制程設計，具有更高的工藝穩定性和可靠性，開關速度與EMI 平衡、更低的Trr特點；
2.系列產品具有低導通電阻、低柵極電荷、導通損耗和開關損耗低的特點；
3.采用TO-252/ITO-220AB封裝，具有更好的熱值特性。
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